Флэш эс ппзу что это

EEPROM и flash память

EEPROM — это энергонезавимая память с электрическим стиранием информации. Количество циклов записи-стирания в этих микросхемах достигает 1000000 раз. Заминающие ячейки в них, также как и в постоянных запоминающих устройствах с электрическим стиранием EPROM, реализуются на основе транзисторов с плавающим затвором. Внутреннее устройство этой запоминающей ячейки приведено на рисунке 1:

Рисунок 1. Запоминающая ячейка ПЗУ с электрическим стиранием (EEPROM)

Ячейка EEPROM памяти представляет собой МОП транзистор, в котором затвор выполняется из поликристаллического кремния. Затем в процессе изготовления микросхемы этот затвор окисляется и в результате он будет окружен оксидом кремния — диэлектриком с прекрасными изолирующими свойствами. В транзисторе с плавающим затвором при полностью стертом ПЗУ, заряда в «плавающем» затворе нет, и поэтому данный транзистор ток не проводит. При программировании, на второй затвор, находящийся над «плавающим» затвором, подаётся высокое напряжение и в него за счет туннельного эффекта индуцируются заряды. После снятия программирующего напряжения индуцированный заряд остаётся на плавающем затворе, и, следовательно, транзистор остаётся в проводящем состоянии. Заряд на его плавающем затворе может храниться десятки лет.

Подобная ячейка памяти применялась в ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием (EPROM). В ячейке памяти с электрическим стиранием возможна не только запись, но и стирание информации. Стирание информации производится подачей на программирующий затвор напряжения, противоположного напряжению записи. В отличие от ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием, время стирания информации в EEPROM памяти составляет около 10 мс.

Структурная схема энергонезависимой памяти с электрическим стиранием не отличается от структурной схемы масочного ПЗУ. Единственное отличие — вместо плавкой перемычки используется описанная выше ячейка. Ее упрощенная структурная схема приведена на рисунке 2.

Рисунок 2. Упрощенная структурная схема EEPROM

В качестве примера микросхем EEPROM памяти можно назвать отечественные микросхемы 573РР3, 558РР3 и зарубежные микросхемы серий AT28с010, AT28с040 фирмы Atmel, HN58V1001 фирмы Hitachi Semiconductor, X28C010 фирмы Intersil Corporation. В EEPROM памяти чаще всего хранятся пользовательские данные в сотовых аппаратах, которые не должны стираться при выключении питания (например адресные книги), конфигурационная информация роутеров или сотовых аппаратов, реже эти микросхемы применяются в качестве конфигурационной памяти FPGA или хранения данных DSP. EEPROM изображаются на принципиальных схемах как показано на рисунке 3.

Рисунок 3. Условно-графическое обозначение электрически стираемого постоянного запоминающего устройства

Чтение информации из параллельной EEPROM памяти производится аналогично чтению из масочного ПЗУ. Сначала на шине адреса выставляется адрес считываемой ячейки памяти в двоичном коде A0. A9, затем подается сигнал чтения RD. Сигнал выбора кристалла CS обычно используется в качестве дополнительного адресного провода для обращения к микросхеме. Временные диаграммы сигналов на входах и выходах этого вида ПЗУ приведены на рисунке 4.

Рисунок 4. Временные диаграммы сигналов чтения информации из EEPROM памяти

На рисунке 5 приведен чертеж типового корпуса микросхемы параллельной EEPROM памяти.

Рисунок 5. Чертеж корпуса микросхемы параллельной EEPROM

Обычно данные, которые хранятся в EEPROM требуются достаточно редко. Время считывания при этом не критично. Поэтому в ряде случаев адрес и данные передаются в микросхему и обратно через последовательный порт. Это позволяет уменьшить габариты микросхем за счет уменьшения количества внешних выводов. При этом используются два вида последовательных портов — SPI порт и I2C порт (микросхемы 25сXX и 24cXX серий соответственно). Зарубежной серии 24cXX соответствует отечественная серия микросхем 558РРX.

Внутренняя схема микросхем серии 24сXX (например AT24C01) приведена на рисунке 6.

Рисунок 6. Внутренняя схема микросхемы AT24C01

Подобные микросхемы широко используются для сохранения настроек телевизоров, в качестве памяти plug and play в компьютерах и ноутбуках, конфигурационной памяти ПЛИС и сигнальных процессоров (DSP). Применение последовательной EEPROM памяти позволило значительно уменьшить стоимость данных устройств и увеличить удобство работы с ними. Пример расположения данной микросхемы на печатной плате карты памяти компьютера приведен на рисунке 7.

Рисунок 7. EEPROM на печатной плате карты памяти компьютера

На рисунке 8 приведена схема электронной карты с применением внешней EEPROM микросхемы.

Рисунок 8. Схема электронной карты с применением внешней EEPROM

На данной схеме микроконтроллер PIC16F84 осуществляет обмен данными с EEPROM памятью 24LC16B. В таких устройствах, как SIM-карта, уже не применяется внешняя микросхема памяти. В SIM-картах сотовых аппаратов используется внутренняя EEPROM память однокристального микроконтроллера. Это позволяет максимально снизить цену данного устройства.

Схема управления для электрически стираемых программируемых ПЗУ получилась сложная, поэтому наметилось два направления развития этих микросхем:

Рисунок 9. Условно-графическое обозначение FLASH памяти

При обращении к постоянному запоминающему устройству сначала необходимо выставить адрес ячейки памяти на шине адреса, а затем произвести операцию чтения из микросхемы. Эта временная диаграмма приведена на рисунке 11.

Рисунок 10. Временные диаграммы сигналов чтения информации из ПЗУ

В настоящее время широко распространилось название флешка. Это связано с внешними накопителями, предназначенными для переноски данных с одного компьютера на другой. В составе подобного устройства основной элемент, это FLASH-ПЗУ. Именно в него записывает данные, полученные по USB-интерфейсу контроллер FLASH памяти. Ну, и считывает, конечно. Фотография печатной платы USB флешки без корпуса приведена на рисунке 11.

Рисунок 11. Внутреннее устройство флешки

Именно микроконтроллер формирует сигналы, временные диаграммы которых показаны на рисунке 10, которые необходимы для работы микросхемы FLASH-ПЗУ.

Дата последнего обновления файла 04.08.2020

Понравился материал? Поделись с друзьями!

Вместе со статьей «Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ)» читают:

Источник

Национальная библиотека им. Н. Э. Баумана
Bauman National Library

Персональные инструменты

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)

На сегодняшний день классическая двухтранзисторная технология EEPROM практически полностью вытеснена флеш-памятью типа NOR. Однако название EEPROM прочно закрепилось за сегментом памяти малой ёмкости независимо от технологии.

Содержание

История

Элай Харари в 1977 году создал EEPROM с помощью автоэлектронной эмиссии [Источник 2] через плавающий затвор. В 1978 году Джордж Перлегос в Intel разработал процессор Intel 2816, который был построен на более ранней технологии EPROM, но использовал тонкий подзатворный окисленный слой, позволяющий чипу стереть собственные байты без УФ-источника. Перлегос и другие позже использовали технологию, которая подразумевала использование на устройстве конденсаторов для обеспечения необходимого напряжения для программирования микросхемы. [1] [2]

Принцип действия

Принцип работы EEPROM основан на изменении и регистрации электрического заряда в изолированной области (кармане) полупроводниковой структуры. [3]

Ячейка памяти EEPROM представляет собой транзистор, в котором затвор выполняется из поликристаллического кремния. Затем этот затвор окисляется и в результате он будет окружен оксидом кремния — диэлектриком с прекрасными изолирующими свойствами. Изменение заряда («запись» и «стирание») производится приложением между затвором и истоком большого потенциала, чтобы напряженность электрического поля в тонком диэлектрике между каналом транзистора и карманом оказалась достаточна для возникновения туннельного эффекта. Для усиления эффекта туннелирования электронов в карман при записи применяется небольшое ускорение электронов путём пропускания тока через канал полевого транзистора (явление инжекции горячих носителей). После снятия программирующего напряжения индуцированный заряд остаётся на плавающем затворе, и, следовательно, транзистор остаётся в проводящем состоянии. Заряд на его плавающем затворе может храниться десятки лет. Чтение выполняется полевым транзистором, для которого карман выполняет функцию затвора. Потенциал плавающего затвора изменяет пороговые характеристики транзистора, что и регистрируется цепями чтения.

Ранее подобная конструкция ячеек применялась в ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием (EPROM).Сейчас особенностью классической ячейки EEPROM можно назвать наличие второго транзистора, который помогает управлять режимами записи и стирания. Стирание информации производится подачей на программирующий затвор напряжения, противоположного напряжению записи. В отличие от ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием, время стирания информации в EEPROM памяти составляет около 10 мс. Структурная схема энергонезависимой памяти с электрическим стиранием не отличается от структурной схемы масочного ПЗУ. Единственное отличие — вместо плавкой перемычки используется описанная выше ячейка.

Некоторые реализации EEPROM выполнялись в виде одного трёхзатворного полевого транзистора (один затвор плавающий и два обычных). Эта конструкция снабжается элементами, которые позволяют ей работать в большом массиве таких же ячеек. Соединение выполняется в виде двумерной матрицы, в которой на пересечении столбцов и строк находится одна ячейка. Поскольку ячейка EEPROM имеет третий затвор, то, помимо подложки, к каждой ячейке подходят 3 проводника (один проводник столбцов и 2 проводника строк).

Интерфейс

Устройства EEPROM используют последовательный или параллельный интерфейс для ввода/вывода информации.

Устройства с последовательным интерфейсом

Каждое устройство EEPROM, как правило, имеет свой код операций для выполнения различных функций. Функции для SPI EEPROM могут быть:

Ряд других операций, которые поддерживают некоторые EEPROM устройства:

Устройства с параллельным интерфейсом

Параллельные устройства EEPROM обычно содержат в себе 8-битную шину данных и адресную шину достаточного объёма для покрытия всей памяти. Большинство таких устройств имеют защиту записи на шинах и возможность выбора чипа. Некоторые микроконтроллеры содержат в себе такие интегрированные EEPROM. Операции на таких устройствах проще и быстрее в сравнении с последовательным интерфейсом EEPROM, но за счет того, что для его функционирования требуется большое количество точек вывода (28pin и больше), параллельная память EEPROM теряет популярность уступая место памяти типа Flash и последовательной EEPROM.

Другие устройства

Память EEPROM используется для функционирования и в других видах продуктов. Продукты, такие как часы реального времени, цифровые потенциометры, цифровые датчики температуры, в частности, могут иметь небольшое количество EEPROM для хранения информации о калибровке или другие данные, которые должны быть доступны в случае потери питания. Он также был использован на игровых картриджах, чтобы сохранить игровой прогресс и настройки, до использования внешней и внутренней флэш-памяти.

Режимы отказа

Родственные типы памяти

Флэш-память является более поздней формой EEPROM. В промышленности, существует конвенция, чтобы зарезервировать термин EEPROM для побайтно стираемой памяти относительно поблочно стираемой флэш-памяти. EEPROM занимает большую площадь кристалла, чем флэш-память для той же мощности, потому что каждая ячейка обычно требует чтения, записи и стирания, в то время как для стирания Flash схемы памяти используются большие блоки ячеек.

Новые технологии энергонезависимой памяти, такие как в FeRAM и MRAM медленно заменяют EEPROM в некоторых устройствах, но, как ожидается, останется небольшая доля рынка для EEPROM в обозримом будущем.

Сравнение EPROM, EEPROM и Flash

Главными отличиями данных типов памяти являются: программирование и стирание данных с устройства. EEPROM может быть запрограммирован, а данные устройства удалены с помощью автоэлектронной эмиссии.

EPROM же, напротив, использует инжекцию горячих носителей [Источник 6] на плавающем затворе. Стирание осуществляется с помощью ультрафиолетового источника света, хотя на практике многие чипы упакованы в пластик, который является непроницаемым для ультрафиолета, делая их «однократно программируемыми».

Большинство устройств с Flash памятью представляет собой гибрид программирования с помощью инжекции горячих носителей и стирания с помощью автоэлектронной эмиссии.

Источник

Пояснения к ТН ВЭД ЕАЭС

Пояснения к ТН ВЭД содержат перевод с английского языка Пояснений к Гармонизированной системе описания и кодирования товаров («Explanatory Notes to the Harmonized Commodity Description and Coding System»), разработанных Всемирной таможенной организацией (Советом таможенного сотрудничества). Дополнены пояснениями к детализации позиций Гармонизированной системы, соответствующими Пояснениям к Комбинированной номенклатуре Европейского сообщества («Explanatory Notes to the Combined Nomenclature of the European Union»), разработанной Комиссией Европейского сообщества, и национальными пояснениями.

Изделия данной товарной позиции определены в примечании 8б к данной группе.

В отличие от электронных интегральных схем, дискретные компоненты могут иметь единственную активную электрическую функцию (полупроводниковые приборы, определенные примечанием 8а к группе 85) или единственную пассивную электрическую функцию (резисторы, конденсаторы, межэлементные соединения и т.д.). Дискретные компоненты являются неразъемными и представляют собой основные электронные структурные компоненты в системе.

Однако компоненты, состоящие из нескольких электрических схемных элементов и имеющие множество электрических функций, такие как интегральные схемы, не считаются дискретными компонентами.

Электронные интегральные схемы включают запоминающие устройства (например, ДОЗУ, СОЗУ, ППЗУ, СППЗУ, ЭСППЗУ), микроконтроллеры, управляющие схемы, логические схемы, вентильные матрицы, интерфейсные схемы и т.д.

Электронные интегральные схемы включают:

(I) Монолитные интегральные схемы.

Они являются микросхемами, в которых схемные элементы (диоды, транзисторы, резисторы, конденсаторы, межэлементные соединения и т.д.) образованы в массе (главным образом) и на поверхности полупроводникового материала (например, легированного кремния) и поэтому неразъемно связаны. Монолитные интегральные схемы могут быть цифровыми, линейными (аналоговыми) или аналого-цифровыми.

Монолитные интегральные схемы могут быть представлены как:

(i) собранные, то есть с их выводами или соединительными проводниками, помещенными или не помещенными в керамику, металл или пластмассу. Корпуса могут быть цилиндрическими, в форме параллелепипедов и т.д.;

(ii) несобранные, то есть как кристаллы, как правило, прямоугольной формы со сторонами, имеющими размер обычно в несколько миллиметров;

(iii) в виде неразрезанных пластин (то есть в виде не разрезанных на кристаллы).

Монолитные интегральные схемы включают:

(i) структуры металл-оксид-полупроводник (МОП-технология);

(ii) схемы, полученные по биполярной технологии;

(iii) схемы, полученные комбинацией биполярной и МОП-технологии (БИМОП-технология).

(II) Гибридные интегральные схемы.

Они являются микросхемами, образованными на изолирующей подложке, на которой была образована тонко- или толстопленочная схема. Этот процесс дает возможность получить одновременно некоторые пассивные элементы (резисторы, конденсаторы, индуктивности и т.д.). Однако чтобы стать гибридной интегральной схемой данной товарной позиции, полупроводники должны быть встроены и установлены на поверхности или в виде кристаллов независимо от того, есть у них корпус или нет, или как помещенные в корпус полупроводники (например, специально спроектированные миниатюрные корпуса). Гибридные интегральные схемы могут также содержать произведенные отдельно пассивные элементы, которые встроены в основную пленочную схему таким же образом, как и полупроводники. Обычно эти пассивные элементы составляют такие компоненты, как конденсаторы, резисторы или индуктивности в виде кристаллов.

Подложки, образованные из нескольких слоев, обычно керамических, термосвязанных вместе для образования компактной сборки, должны рассматриваться в качестве единой подложки в пределах значения примечания 8б(ii) к данной группе.

Компоненты, образующие гибридную интегральную схему, должны быть объединены неразъемным образом для всех целей и областей применения, то есть, хотя некоторые из элементов можно было бы теоретически удалить и заменить, это представляло бы длительную и кропотливую работу, являющуюся неэкономичной в нормальных производственных условиях.

(III) Многокристальные интегральные схемы.

Они состоят из двух или более соединенных между собой монолитных интегральных схем, неразделимо объединенных для всех целей, расположенных или не расположенных на одной или нескольких изолирующих подложках, имеющих или не имеющих рамки с выводами, но не содержащих никаких других активных или пассивных элементов.

Многокристальные интегральные схемы, как правило, представлены в следующих конфигурациях:

— две или более монолитные интегральные схемы, расположенные рядом;

— две или более монолитные интегральные схемы уложены одна на другую;

— комбинации представленных выше конфигураций из трех или более монолитных интегральных схем.

Данные монолитные интегральные схемы соединены между собой в единое целое и могут быть упакованы посредством инкапсуляции или любым другим способом. Они неразделимо объединены для всех целей, тог есть несмотря на теоретическую возможность удаления и замены некоторых элементов, это будет задачей, требующей больших временных затрат, что будет невыгодно при обычных условиях производства.

Изолирующие подложки многокристальных интегральных схем могут содержать электропроводящие участки. Данные участки могут состоять из специальных материалов или иметь специальную форму для выполнения пассивных функций средствами, не являющимися дискретными элементами схем. Если на подложке расположены участки проводимости, они, как правило, используются как средства соединения монолитных интегральных схем между собой. Такие подложки могут также называться «вставками» или «разделителями», когда они помещены над самым нижним кристаллом или матрицей.

Монолитные интегральные схемы соединены между собой различными средствами, такими как клеящие составы, проволочные соединения или технологией «перевернутого кристалла».

В данную товарную позицию не включаются пленочные схемы, состоящие лишь из пассивных элементов (товарная позиция 8534).

В данную товарную позицию не включаются твердотельные энергонезависимые устройства хранения данных, «интеллектуальные карточки» и другие носители для записи звука или других явлений (см. товарную позицию 8523 и примечание 4 к данной группе).

За исключением комбинаций (для всех целей и областей применения, являющихся неразъемными), на которые делалась ссылка выше в частях (II) и (III) относительно гибридных интегральных схем и многокристальных интегральных схем, в данную товарную позицию также не включаются сборки, образованные:

(а) установкой одного или более дискретных компонентов на опоре, образованной, например, печатной схемой;

(б) добавлением одного или нескольких приборов, таких как диод, трансформатор или резистор, к электронной микросхеме; или

(в) комбинацией дискретных компонентов или комбинацией электронных микросхем, кроме многокристальных интегральных схем.

Такие сборки классифицируются следующим образом:

(i) сборки, которые образуют законченную машину или оборудование (или объект, рассматриваемый как законченный), включаются в товарную позицию, относящуюся к машине или оборудованию;

Это относится, в частности, к некоторым электронным модулям памяти (например, SIMM (модули памяти с однорядными выводами) и DIMM (модули памяти с двухрядными выводами)). Эти модули должны классифицироваться на основании примечания 2 к разделу XVI. (См. общие положения к данной группе.)

При условии соблюдения общих положений, относящихся к классификации частей (см. общие положения к разделу XVI), части товаров данной товарной позиции включаются в данную товарную позицию.

Источник

флэш-ЭС ППЗУ:

Раздел 14. Аналого-цифровые преобразователи

Раздел 18. Защита от поражающих факторов ядерного оружия:

Категория 3. Электроника

Категория 5. Часть1. Коммуникации

Товары, подлежащие государственному санитарно-эпидемиологическому надзору:

Составные части железнодорожного подвижного состава, подлежащие сертификации:

Составные части железнодорожного подвижного состава, подлежащие декларированию соответствия на основании собственных доказательств и доказательств, полученных с участием органа по сертификации и (или) аккредитованной испытательной лаборатории (центра):

Составные части железнодорожного подвижного состава, подлежащие декларированию соответствия на основании собственных доказательств:

Продукция, подлежащая сертификации:

Продукция, подлежащая декларированию соответствия на основании собственных доказательств:

Продукция, подлежащая декларированию соответствия на основании собственных доказательств и доказательств, полученных с участием органа по сертификации и (или) аккредитованной испытательной лаборатории (центра):

Продукция, подлежащая сертификации:

Продукция, подлежащая декларированию соответствия:

Возможно товар попадает под действие технических регламентов

Обычно ЭС ППЗУ представляют собой побайтно стираемые запоминающие устройства.

Программирование, чтение и стирание этих запоминающих устройств может осуществляться при двойном или одинарном напряжении питания.

Изделия данной товарной позиции определены в примечании 9(б) к данной группе.

Электронные интегральные схемы являются устройствами, имеющими высокую плотность пассивных и активных элементов или компонентов, которые рассматриваются как отдельные блоки. (В отношении элементов или компонентов, рассматриваемых как «пассивные» или «активные», см. пояснения к товарной позиции 8534, первый абзац.) Однако электронные схемы, содержащие лишь пассивные элементы, не включаются в данную товарную позицию.

В отличие от электронных интегральных схем, дискретные компоненты могут иметь единственную активную электрическую функцию (полупроводниковые приборы, определенные примечанием 9(а) к группе 85) или единственную пассивную электрическую функцию (резисторы, конденсаторы, межэлементные соединения и т.д.). Дискретные компоненты являются неразъемными и представляют собой основные электронные структурные компоненты в системе.

Однако компоненты, состоящие из нескольких электрических схемных элементов и имеющие множество электрических функций, такие как интегральные схемы, не считаются дискретными компонентами.

Электронные интегральные схемы включают запоминающие устройства (например, ДОЗУ, СОЗУ, ППЗУ, СППЗУ, ЭСППЗУ), микроконтроллеры, управляющие схемы, логические схемы, вентильные матрицы, интерфейсные схемы и т.д.

Электронные интегральные схемы включают:

Области их применения разнообразны, в том числе, в компьютерах, средствах связи (например, телефонах для сотовых сетей), потребительских товарах, промышленном оборудовании или автотранспорте.

В данную товарную позицию не включаются пленочные схемы, состоящие лишь из пассивных элементов ( товарная позиция 8534 ).

В данную товарную позицию не включаются твердотельные энергонезависимые устройства хранения данных, «интеллектуальные карточки» и другие носители для записи звука или других явлений (см. товарную позицию 8523 и примечание 5 к данной группе).

За исключением комбинаций (неразделимо объединенных в единое целое), на которые делалась ссылка выше в частях (II), (III) и (IV) относительно гибридных интегральных схем, многокристальных интегральных схем и многокомпонентных интегральных схем (MCOs), в данную товарную позицию также не включаются сборки, образованные:

Такие сборки классифицируются следующим образом:

Это относится, в частности, к некоторым электронным модулям памяти (например, SIMM (модули памяти с однорядными выводами) и DIMM (модули памяти с двухрядными выводами)). Эти модули должны классифицироваться на основании примечания 2 к разделу XVI. (См. общие положения к данной группе.)

ЧАСТИ

При условии соблюдения общих положений, относящихся к классификации частей (см. общие положения к разделу XVI ), части товаров данной товарной позиции включаются в данную товарную позицию.

В данную товарную позицию не включаются диски (иногда называемые полупроводниковыми пластинами), которые в целях использования в электронике состоят из легированных химических элементов, независимо от того, отполированы они или не отполированы, покрыты эпитаксиальным слоем или не покрыты, при условии, что они не были выборочно легированы или не были подвергнуты диффузии для создания дискретных областей ( товарная позиция 3818 00).

ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ

(А) СФЕРА ДЕЙСТВИЯ И ПОСТРОЕНИЕ ГРУППЫ

В данную группу включаются все электрические машины и оборудование, кроме :

В отличие от правил, используемых в группе 84, товары данной группы включаются сюда даже в том случае, если они изготовлены из керамики или стекла, за исключением стеклянных баллонов (включая колбы и трубки) товарной позиции 7011.

Данная группа включает:

Однако следует отметить, что в данную группу включаются только определенные типы электротермического оборудования, например, печи и т.д. (товарная позиция 8514), электрооборудование обогрева пространства, бытовые приборы и т.д. (товарная позиция 8516).

Далее следует отметить, что некоторые электронные модули памяти (например, SIMM (модули памяти с однорядными выводами) и DIMM (модули памяти с двухрядными выводами)), которые не могут рассматриваться как товары товарной позиции 8523 или как многокомпонентные интегральные схемы (MCOs) товарной позиции 8542 (см. примечание 9 (б) (iv) к данной группе) и не имеют другой индивидуальной функции, должны классифицироваться на основании примечания 2 к разделу XVI следующим образом:

В целом, однако, аппаратура с электронагревом входит в другие группы (в основном в группу 84 ), например, котлы паровые и водяные котлы с пароперегревателем ( товарная позиция 8402 ), установки для кондиционирования воздуха ( товарная позиция 8415 ), оборудование для жаренья, дистилляции или других процессов ( товарная позиция 8419 ), каландры или другие валковые машины для лощения и валки ( товарная позиция 8420 ), инкубаторы для птицеводства и брудеры ( товарная позиция 8436 ), машины общего назначения для клеймения лесоматериалов, пробки, кожи и т.д. ( товарная позиция 8479 ), медицинская аппаратура ( товарная позиция 9018 ).

(Б) ЧАСТИ

Неэлектрические части машин или оборудования данной группы классифицируются следующим образом:

ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ

( I ) ОБЩЕЕ СОДЕРЖАНИЕ ДАННОГО РАЗДЕЛА

( II ) ЧАСТИ (примечание 2 к данному разделу)

Указанные выше правила не относятся к частям, которые сами образуют изделие, охваченное одной из товарных позиций данного раздела ( кроме товарных позиций 8487 и 8548); они во всех случаях включаются в соответствующие товарные позиции, даже если они специально предназначены для работы в качестве части конкретной машины. В частности, это относится к следующим частям:

Вышеприведенные положения, касающиеся классификации частей, не относятся к частям товаров, включенных в товарную позицию 8484 (прокладки и т.п.), 8544 (изолированные провода), 8545 (угольные электроды), 8546 (изоляторы) или 8547 (трубки для электропроводки); в общем такие части классифицируются в соответствующих материалу группах.

( III ) ВСПОМОГАТЕЛЬНЫЕ УСТРОЙСТВА (см. Правила 2 (а) и 3 (б) Основных правил интерпретации Номенклатуры и примечания 3 и 4 к данному разделу)

Вспомогательные приборы и аппаратура (например, манометры, термометры, уровнемеры или другие измерительные или контрольные приборы, счетчики продукции, переключатели с часовым механизмом, панели управления, автоматические регуляторы), представленные вместе с машиной или аппаратом, которым они обычно принадлежат, классифицируются с этой машиной или аппаратом, если они спроектированы для измерения, контроля, управления или регулирования одной конкретной машиной или аппаратом (которые могут быть комбинацией машин (см. пункт VI ниже) или функциональным блоком (см. пункт VII ниже)). Однако вспомогательные приборы и аппаратура, разработанные для измерения, контроля, управления или регулирования несколькими машинами (одного или различных типов), включаются в товарные позиции, соответствующие данным товарам.

( IV ) НЕЗАВЕРШЕННЫЕ МАШИНЫ (см. Правило 2 (а) Основных правил интерпретации Номенклатуры)

( V ) НЕСОБРАННЫЕ МАШИНЫ (см. Правило 2 (а) Основных правил интерпретации Номенклатуры)

( VI ) МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ МАШИНЫ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МАШИНЫ

(примечание 3 к данному разделу) В общем многофункциональные машины классифицируются по основной функции этой машины.

К многофункциональным машинам, например, относятся металлорежущие станки, в которых используется сменный инструмент, позволяющий выполнять различные операции обработки (например, фрезерование, расточку, притирку).

Ниже приводятся примеры таких комбинированных машин: печатные машины со вспомогательной машиной для удержания бумаги (товарная позиция 8443); машина для изготовления картонных коробок, объединенная со вспомогательной машиной для печатания надписей или простых рисунков (товарная позиция 8441); промышленные печи, объединенные с устройствами для подъема и перемещения (товарная позиция 8417 или 8514); машина для производства сигарет, объединенная со вспомогательной упаковочной машиной (товарная позиция 8478).

Комплекты машин не должны рассматриваться как предназначенные для состыковки друг с другом для образования единого целого за исключением тех случаев, когда машины специально сконструированы для постоянной стыковки одна с другой либо крепления к общему основанию, раме, корпусу и пр. Это исключает комплекты, имеющие временную природу или которые обычно не встроены в комбинированную машину.

Полы, бетонные основания, стены, перегородки, потолки и пр., даже специально предназначенные для размещения машин или установок, не должны рассматриваться как общее основание, соединяющее такие машины или установки в единое целое.

Следует помнить, что многоцелевые машины (например, станки, способные обрабатывать металлы и другие материалы, или дыропробивные машины, равным образом применяемые в бумажной, текстильной, кожевенной, пластмассовой и прочих отраслях промышленности) должны классифицироваться в соответствии с положениями примечания 7 к группе 84.

(VII) ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ БЛОКИ (примечание 4 к данному разделу)

Это примечание применяется, когда машина (включая комбинацию машин) состоит из отдельных компонентов, предназначенных для совместного выполнения четко определенной функции, охваченной одной из товарных позиций группы 84 или, более часто, группы 85. Тогда это единое целое должно включаться в товарную позицию, соответствующую этой функции, независимо от того, расположены ли эти компоненты (для удобства или по иным причинам) отдельно или соединены трубопроводами (по которым течет воздух, сжатый газ, масло и пр.), устройствами для передачи энергии, электрическими кабелями или другими устройствами.

Для целей этого примечания выражение «предназначенные для совместного выполнения четко определенной функции» относится только к тем машинам и комбинациям машин, которые необходимы для выполнения функции, специфичной для функционального блока в целом, и поэтому не включает в себя машины или устройства, выполняющие вспомогательные функции и не влияющие на функции системы в целом.

Ниже приводятся примеры функциональных блоков этого типа, отвечающие смыслу примечания 4 к данному разделу:

(VIII) МОБИЛЬНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ

(IX) ЛАБОРАТОРНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ И АППАРАТЫ

Пояснения к примечанию 4

Пояснения к дополнительному примечанию 1

Источник